ПЛИС LCMXO2-2000HC-4BG256C – программируемая пользователем вентильная матрица 2112 LUT 207 IO 3.3V 4 Spd
♠ Описание продукта
Атрибут продукта | Значение атрибута |
Производитель: | Решетка |
Категория продукта: | FPGA — программируемая пользователем вентильная матрица |
RoHS: | Подробности |
Ряд: | LCMXO2 |
Количество логических элементов: | 2112 ЛЕ |
Количество вводов/выводов: | 206 Ввод/Вывод |
Напряжение питания - мин.: | 2,375 В |
Напряжение питания - макс.: | 3,6 В |
Минимальная рабочая температура: | 0 С |
Максимальная рабочая температура: | + 85 С |
Скорость передачи данных: | - |
Количество трансиверов: | - |
Стиль монтажа: | SMD/SMT |
Упаковка/Коробка: | КАБГА-256 |
Упаковка: | Поднос |
Бренд: | Решетка |
Распределенная оперативная память: | 16 кбит |
Встроенная блочная оперативная память — EBR: | 74 кбит |
Максимальная рабочая частота: | 269 МГц |
Чувствительность к влаге: | Да |
Количество блоков логической матрицы - LAB: | 264 ЛАБОРАТОРИЯ |
Рабочий ток питания: | 4,8 мА |
Рабочее напряжение питания: | 2,5 В/3,3 В |
Тип продукта: | FPGA — программируемая пользователем вентильная матрица |
Количество в заводской упаковке: | 119 |
Подкатегория: | Программируемые логические ИС |
Общая память: | 170 кбит |
Торговое название: | МахXO2 |
Вес единицы: | 0,429319 унции |
1. Гибкая логическая архитектура
• Шесть устройств с 256–6864 LUT4 и 18–334 вводами/выводами Устройства со сверхнизким энергопотреблением
• Усовершенствованный 65 нм процесс с низким энергопотреблением
• Потребляемая мощность в режиме ожидания составляет всего 22 мкВт
• Программируемые дифференциальные входы/выходы с малым колебанием
• Режим ожидания и другие параметры энергосбережения 2. Встроенная и распределенная память
• Встроенная блочная оперативная память sysMEM™ объемом до 240 кбит
• До 54 кбит распределенной оперативной памяти
• Специализированная логика управления FIFO
3. Встроенная пользовательская флэш-память
• До 256 кбит пользовательской флэш-памяти
• 100 000 циклов записи
• Доступ через интерфейсы WISHBONE, SPI, I2 C и JTAG
• Может использоваться как программный процессор PROM или как флэш-память
4. Предварительно разработанный источник синхронного ввода-вывода
• Регистры DDR в ячейках ввода-вывода
• Специализированная логика переключения передач
• Коэффициент передачи 7:1 для входов/выходов дисплея
• Универсальная DDR, DDRX2, DDRX4
• Специализированная память DDR/DDR2/LPDDR с поддержкой DQS
5. Высокопроизводительный, гибкий буфер ввода-вывода
• Программируемый буфер sysIO™ поддерживает широкий спектр интерфейсов:
– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
– ЛВТТЛ
– ЧКВ
– LVDS, шина-LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL
– ССТЛ 25/18
– HSTL 18
– Входы триггера Шмитта, гистерезис до 0,5 В
• Поддержка горячего подключения устройств ввода-вывода
• Встроенное дифференциальное завершение
• Программируемый режим подтягивания или опускания
6. Гибкая тактовая частота на кристалле
• Восемь основных часов
• До двух краевых тактовых генераторов для высокоскоростных интерфейсов ввода-вывода (только верхняя и нижняя стороны)
• До двух аналоговых ФАПЧ на устройство с дробным синтезом частоты
– Широкий диапазон входных частот (от 7 МГц до 400 МГц)
7. Энергонезависимый, бесконечно реконфигурируемый
• Мгновенное включение
– включается за микросекунды
• Однокристальное, безопасное решение
• Программируется через JTAG, SPI или I2 C
• Поддерживает фоновое программирование не энергонезависимых
8.память плитки
• Дополнительная двойная загрузка с внешней памятью SPI
9. Реконфигурация TransFR™
• Обновление логики на месте во время работы системы
10. Расширенная поддержка на системном уровне
• Встроенные функции: SPI, I2 C, таймер/счетчик
• Встроенный генератор с точностью 5,5%
• Уникальный TraceID для отслеживания системы
• Режим одноразового программирования (OTP)
• Один источник питания с расширенным рабочим диапазоном
• Граничное сканирование по стандарту IEEE 1149.1
• Внутрисистемное программирование, соответствующее стандарту IEEE 1532
11. Широкий выбор вариантов упаковки
• Варианты корпусов TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN
• Варианты компактных пакетов
– Размером всего 2,5 мм x 2,5 мм
• Поддерживается миграция плотности
• Современная безгалогеновая упаковка