ПЛИС LCMXO640C-4TN144C – программируемая пользователем вентильная матрица 640 LUTS 113 I/O
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | Решетка |
| Категория продукта: | FPGA — программируемая пользователем вентильная матрица |
| RoHS: | Подробности |
| Ряд: | LCMXO640C |
| Количество логических элементов: | 640 ЛЕ |
| Количество вводов/выводов: | 113 Ввод/Вывод |
| Напряжение питания - мин.: | 1,71 В |
| Напряжение питания - макс.: | 3,465 В |
| Минимальная рабочая температура: | 0 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 85 С |
| Скорость передачи данных: | - |
| Количество трансиверов: | - |
| Стиль монтажа: | SMD/SMT |
| Упаковка/футляр: | TQFP-144 |
| Упаковка: | Поднос |
| Бренд: | Решетка |
| Распределенная оперативная память: | 6.1 кбит |
| Высота: | 1,4 мм |
| Длина: | 20 мм |
| Максимальная рабочая частота: | 550 МГц |
| Чувствительность к влаге: | Да |
| Количество блоков логической матрицы - LAB: | 80 ЛАБ |
| Рабочий ток питания: | 17 мА |
| Рабочее напряжение питания: | 1,8 В/2,5 В/3,3 В |
| Тип продукта: | FPGA — программируемая пользователем вентильная матрица |
| Количество в заводской упаковке: | 60 |
| Подкатегория: | Программируемые логические ИС |
| Общая память: | 6.1 кбит |
| Ширина: | 20 мм |
| Вес единицы: | 1,319 г |
Энергонезависимый, бесконечно реконфигурируемый
• Мгновенное включение – включается за микросекунды
• Один чип, не требуется внешняя конфигурационная память
• Отличная безопасность конструкции, нет перехватываемого потока данных
• Перенастройте логику на основе SRAM за миллисекунды
• SRAM и энергонезависимая память, программируемая через порт JTAG
• Поддерживает фоновое программирование энергонезависимой памяти
Спящий режим
• Позволяет снизить статический ток до 100 раз
Реконфигурация TransFR™ (TFR)
• Обновление логики на месте во время работы системы
Высокая плотность ввода-вывода для логики
• 256–2280 LUT4
• От 73 до 271 ввода-вывода с расширенными вариантами пакетов
• Поддерживается миграция плотности
• Упаковка без содержания свинца/соответствует директиве RoHS
Встроенная и распределенная память
• Встроенная блочная память sysMEM™ объемом до 27,6 Кбит
• До 7,7 Кбит распределенной оперативной памяти
• Специализированная логика управления FIFO
Гибкий буфер ввода-вывода
• Программируемый буфер sysIO™ поддерживает широкий спектр интерфейсов:
– LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
– ЛВТТЛ
– ЧКВ
– LVDS, шина-LVDS, LVPECL, RSDS
sysCLOCK™ PLL
• До двух аналоговых ФАПЧ на устройство
• Умножение, деление и сдвиг фаз часов
Поддержка на уровне системы
• Стандарт IEEE 1149.1 Граничное сканирование
• Встроенный генератор
• Устройства работают с напряжением питания 3,3 В, 2,5 В, 1,8 В или 1,2 В.
• Внутрисистемное программирование, соответствующее стандарту IEEE 1532
