Как сообщает BusinessKorea, 20 октября компания Samsung Electronics провела в Каннамгу, Сеул, форум Samsung Foundry Forum 2022.
Чон Ки-тэ, вице-президент по развитию технологий литейного подразделения компании, сообщил, что в этом году Samsung Electronics впервые в мире успешно осуществила массовое производство 3-нанометрового чипа на основе технологии GAA, при этом энергопотребление снизилось на 45 процентов, производительность выросла на 23 процента, а площадь поверхности уменьшилась на 16 процентов по сравнению с 5-нанометровым чипом.
Samsung Electronics также планирует приложить все усилия для расширения производственных мощностей своего завода по производству микросхем, который намерен увеличить их более чем в три раза к 2027 году. С этой целью производитель микросхем придерживается стратегии «сначала оболочка», которая подразумевает сначала строительство чистой комнаты, а затем гибкую эксплуатацию объекта по мере возникновения рыночного спроса.
Чхве Си Ён, президент литейного подразделения Samsung Electronics, сказал: «У нас работает пять заводов в Корее и США, и мы зарезервировали площадки для строительства более 10 заводов».
IT House стало известно, что Samsung Electronics планирует запустить 3-нанометровый техпроцесс второго поколения в 2023 году, начать массовое производство 2-нанометрового техпроцесса в 2025 году и запустить 1,4-нанометровый техпроцесс в 2027 году. Эту технологическую дорожную карту Samsung впервые раскрыла в Сан-Франциско 3 октября (по местному времени).
Время публикации: 14 ноября 2022 г.
