NTTFS4C10NTAG МОП-транзистор NFET U8FL 30 В 44 А 7,4 МОм
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | онсеми |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| RoHS: | Подробности |
| Технологии: | Si |
| Тип монтажа: | СМД/СМТ |
| Посылка/кейс: | ВДФН-8 |
| Полярность транзистора: | N-канал |
| Количество каналов: | 1 канал |
| Vds - Напряжение пробоя сток-исток: | 30 В |
| Id — непрерывный ток стока: | 44 А |
| Rds On — сопротивление сток-исток: | 7,4 мОм |
| Vgs - Напряжение затвор-исток: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: | 1,3 В |
| Qg - заряд ворот: | 18,6 нКл |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Pd - рассеиваемая мощность: | 3,9 Вт |
| Режим канала: | Улучшение |
| Упаковка: | Катушка |
| Упаковка: | Разрезать ленту |
| Упаковка: | Мышькатушка |
| Марка: | онсеми |
| Конфигурация: | Одинокий |
| Тип продукта: | МОП-транзистор |
| Ряд: | NTTFS4C10N |
| Заводская упаковка: | 1500 |
| Подкатегория: | МОП-транзисторы |
| Единица измерения: | 29,570 мг |
♠ NTTFS4C10N MOSFET — силовой, одиночный, N-канальный, 8FL, 30 В, 44 А
• Низкий RDS(on) для минимизации потерь проводимости
• Низкая емкость для минимизации потерь драйвера
• Оптимизированная зарядка затвора для минимизации потерь при переключении
• Эти устройства не содержат свинца, галогенов и бромированных огнестойких добавок и соответствуют требованиям RoHS.
• Преобразователи постоянного тока в постоянный
• Переключатель нагрузки
• Управление батареей ноутбука
