VNS1NV04DPTR-E Драйверы затвора OMNIFET POWER MOSFET 40 В 1,7 А
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория продукта: | Драйверы ворот |
| Продукт: | Драйверы затворов MOSFET |
| Тип: | Низкая сторона |
| Стиль монтажа: | SMD/SMT |
| Упаковка/Коробка: | СОИК-8 |
| Количество водителей: | 2 Драйвера |
| Количество выходов: | 2 Выход |
| Выходной ток: | 1,7 А |
| Напряжение питания - макс.: | 24 В |
| Время нарастания: | 500 нс |
| Время осени: | 600 нс |
| Минимальная рабочая температура: | - 40 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Ряд: | VNS1NV04DP-E |
| Квалификация: | AEC-Q100 |
| Упаковка: | Катушка |
| Упаковка: | Разрезанная лента |
| Упаковка: | МышьReel |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Чувствительность к влаге: | Да |
| Рабочий ток питания: | 150 мкА |
| Тип продукта: | Драйверы ворот |
| Количество в заводской упаковке: | 2500 |
| Подкатегория: | PMIC - ИС управления питанием |
| Технология: | Si |
| Вес единицы: | 0,005291 унции |
♠ OMNIFET II полностью автозащищенный силовой MOSFET
VNS1NV04DP-E — это устройство, образованное двумя монолитными чипами OMNIFET II, размещенными в стандартном корпусе SO-8. OMNIFET II разработаны по технологии STMicroelectronics VIPower™ M0-3: они предназначены для замены стандартных силовых МОП-транзисторов в приложениях постоянного тока до 50 кГц. Встроенные тепловое отключение, линейное ограничение тока и фиксатор перенапряжения защищают чип в суровых условиях.
Обратную связь о неисправности можно обнаружить, контролируя напряжение на входном контакте.
• Линейное ограничение тока
• Тепловое отключение
• Защита от короткого замыкания
• Интегрированный зажим
• Низкий ток, потребляемый от входного контакта
• Диагностическая обратная связь через входной контакт
• Защита от электростатического разряда
• Прямой доступ к затвору силового МОП-транзистора (аналоговое управление)
• Совместимость со стандартными силовыми МОП-транзисторами
• В соответствии с европейской директивой 2002/95/EC
