VNS1NV04DPTR-E Драйверы затворов OMNIFET POWER MOSFET 40 В 1,7 А
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория продукта: | Драйверы ворот |
| Продукт: | Драйверы затвора MOSFET |
| Тип: | Низкая сторона |
| Тип монтажа: | СМД/СМТ |
| Посылка/кейс: | СОИК-8 |
| Количество водителей: | 2 водителя |
| Количество выходов: | 2 выхода |
| Выходной ток: | 1,7 А |
| Напряжение питания - макс.: | 24 В |
| Время нарастания: | 500 нс |
| Время падения: | 600 нс |
| Минимальная рабочая температура: | - 40 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Ряд: | VNS1NV04DP-E |
| Квалификация: | AEC-Q100 |
| Упаковка: | Катушка |
| Упаковка: | Разрезать ленту |
| Упаковка: | Мышькатушка |
| Марка: | STMicroelectronics |
| Чувствительность к влаге: | Да |
| Рабочий ток питания: | 150 мкА |
| Тип продукта: | Драйверы ворот |
| Заводская упаковка: | 2500 |
| Подкатегория: | PMIC — ИС управления питанием |
| Технологии: | Si |
| Единица измерения: | 0,005291 унции |
♠ OMNIFET II Power MOSFET с полной автозащитой
VNS1NV04DP-E представляет собой устройство, состоящее из двух монолитных микросхем OMNIFET II, размещенных в стандартном корпусе SO-8.OMNIFET II разработаны по технологии STMicroelectronics VIPower™ M0-3: они предназначены для замены стандартных мощных полевых МОП-транзисторов от постоянного тока до 50 кГц.Встроенная защита от перегрева, линейное ограничение тока и защита от перенапряжения защищают микросхему в неблагоприятных условиях.
Обратная связь о неисправности может быть обнаружена путем контроля напряжения на входном контакте.
• Линейное ограничение тока
• Тепловое отключение
• Защита от короткого замыкания
• Встроенный зажим
• Низкий ток, потребляемый от входного контакта
• Диагностическая обратная связь через входной контакт
• Защита от электростатического разряда
• Прямой доступ к затвору силового мосфета (аналоговое управление)
• Совместимость со стандартным силовым полевым транзистором
• В соответствии с европейской директивой 2002/95/EC
