VNS3NV04DPTR-E Драйверы ворот OMNIFET II VIPower 35мОм 12А 40В
♠ Описание продукта
Атрибут продукта | Значение атрибута |
Производитель: | STMicroelectronics |
Категория продукта: | Драйверы ворот |
RoHS: | Подробности |
Продукт: | Драйверы затвора MOSFET |
Тип: | Низкая сторона |
Тип монтажа: | СМД/СМТ |
Посылка/кейс: | СОИК-8 |
Количество водителей: | 2 водителя |
Количество выходов: | 2 выхода |
Выходной ток: | 5 А |
Напряжение питания - макс.: | 24 В |
Время нарастания: | 250 нс |
Время падения: | 250 нс |
Минимальная рабочая температура: | - 40 С |
Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
Ряд: | VNS3NV04DP-E |
Квалификация: | AEC-Q100 |
Упаковка: | Катушка |
Упаковка: | Разрезать ленту |
Упаковка: | Мышькатушка |
Марка: | STMicroelectronics |
Чувствительность к влаге: | Да |
Рабочий ток питания: | 100 мкА |
Тип продукта: | Драйверы ворот |
Заводская упаковка: | 2500 |
Подкатегория: | PMIC — ИС управления питанием |
Технологии: | Si |
Единица измерения: | 0,005291 унции |
♠ OMNIFET II Power MOSFET с полной автозащитой
Устройство VNS3NV04DP-E состоит из двух монолитных микросхем (OMNIFET II), размещенных в стандартном корпусе SO-8.OMNIFET II разработан с использованием технологии STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 и предназначен для замены стандартных мощных полевых МОП-транзисторов в приложениях постоянного тока с частотой до 50 кГц.
Встроенное тепловое отключение, линейное ограничение тока и защита от перенапряжения защищают микросхему в неблагоприятных условиях.
Обратная связь о неисправности может быть обнаружена путем контроля напряжения на входном контакте.
■ ECOPACK®: не содержит свинца и соответствует требованиям RoHS.
■ Автомобильный класс: соответствие рекомендациям AEC.
■ Линейное ограничение тока
■ Тепловое отключение
■ Защита от короткого замыкания
■ Встроенный зажим
■ Низкий ток, потребляемый от входного контакта
■ Диагностическая обратная связь через входной контакт
■ Защита от электростатических разрядов
■ Прямой доступ к затвору Power MOSFET (аналоговое управление)
■ Совместим со стандартным силовым полевым МОП-транзистором