MBT3904DW1T1G Биполярные транзисторы — BJT 200 мА 60 В Dual NPN
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | онсеми |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| RoHS: | Подробности |
| Тип монтажа: | СМД/СМТ |
| Посылка/кейс: | СК-70-6 |
| Полярность транзистора: | НПН |
| Конфигурация: | Двойной |
| Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс.: | 40 В |
| Напряжение коллектор-база VCBO: | 60 В |
| Эмиттер-База Напряжение VEBO: | 6 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 300 мВ |
| Максимальный ток коллектора постоянного тока: | 200 мА |
| Pd - рассеиваемая мощность: | 150 мВт |
| Произведение на усиление пропускной способности fT: | 300 МГц |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Ряд: | МВТ3904DW1 |
| Упаковка: | Катушка |
| Упаковка: | Разрезать ленту |
| Упаковка: | Мышькатушка |
| Марка: | онсеми |
| Непрерывный ток коллектора: | - 2 А |
| DC Collector/Base Gain hfe Мин.: | 40 |
| Высота: | 0,9 мм |
| Длина: | 2 мм |
| Тип продукта: | BJT - биполярные транзисторы |
| Заводская упаковка: | 3000 |
| Подкатегория: | Транзисторы |
| Технологии: | Si |
| Ширина: | 1,25 мм |
| Часть # Псевдонимы: | МВТ3904DW1T3G |
| Единица измерения: | 0,000988 унций |
• hFE, 100−300 • Низкий VCE(sat), ≤ 0,4 В
• Упрощает проектирование схем
• Уменьшает пространство на доске
• Уменьшает количество компонентов
• Доступны ленты шириной 8 мм, 7 дюймов/3000 единиц и в рулонах.
• Префиксы S и NSV для автомобильных и других приложений, требующих уникального места и требований к изменению управления;Квалификация AEC-Q101 и поддержка PPAP
• Эти устройства не содержат свинца, галогенов и бромированных огнестойких добавок и соответствуют требованиям RoHS.
