NDS331N MOSFET N-Ch LL FET Режим улучшения
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | онсеми |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Технологии: | Si |
| Тип монтажа: | СМД/СМТ |
| Посылка/кейс: | СОТ-23-3 |
| Полярность транзистора: | N-канал |
| Количество каналов: | 1 канал |
| Vds - Напряжение пробоя сток-исток: | 20 В |
| Id — непрерывный ток стока: | 1,3 А |
| Rds On — сопротивление сток-исток: | 210 мОм |
| Vgs - Напряжение затвор-исток: | - 8 В, + 8 В |
| Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: | 500 мВ |
| Qg - заряд ворот: | 5 нКл |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Pd - рассеиваемая мощность: | 500 мВт |
| Режим канала: | Улучшение |
| Упаковка: | Катушка |
| Упаковка: | Разрезать ленту |
| Упаковка: | Мышькатушка |
| Марка: | онсеми / Фэирчайлд |
| Конфигурация: | Одинокий |
| Время падения: | 25 нс |
| Высота: | 1,12 мм |
| Длина: | 2,9 мм |
| Продукт: | МОП-транзистор с малым сигналом |
| Тип продукта: | МОП-транзистор |
| Время нарастания: | 25 нс |
| Ряд: | NDS331N |
| Заводская упаковка: | 3000 |
| Подкатегория: | МОП-транзисторы |
| Тип транзистора: | 1 N-канал |
| Тип: | МОП-транзистор |
| Типичное время задержки выключения: | 10 нс |
| Типичное время задержки включения: | 5 нс |
| Ширина: | 1,4 мм |
| Часть # Псевдонимы: | NDS331N_NL |
| Единица измерения: | 0,001129 унций |
♠ N-канальный полевой транзистор с режимом повышения логического уровня
Эти N-канальные полевые транзисторы с улучшенным логическим уровнем производятся с использованием запатентованной ON Semiconductor технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.Этот процесс с очень высокой плотностью специально разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии.Эти устройства особенно подходят для низковольтных приложений в ноутбуках, портативных телефонах, картах PCMCIA и других схемах с батарейным питанием, где требуется быстрое переключение и низкие потери мощности в линии в очень маленьком корпусе для поверхностного монтажа.
• 1,3 А, 20 В
♦ RDS(вкл.) = 0,21 при VGS = 2,7 В
♦ RDS(вкл) = 0,16 при VGS = 4,5 В
• Описание отраслевого стандарта SOT-23 для поверхностного монтажа с использованием
Запатентованная конструкция SUPERSOT-3 для превосходных тепловых и электрических характеристик
• Конструкция ячеек высокой плотности для чрезвычайно низкого RDS(on)
• Исключительное сопротивление во включенном состоянии и максимальный ток постоянного тока
• Это устройство, не содержащее свинца.
