NTJD5121NT1G МОП-транзистор NFET SC88D 60 В 295 мА
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Доблесть атрибута |
| Фабриканте: | онсеми |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| RoHS: | Деталь |
| Технология: | Si |
| Estilo de montaje: | СМД/СМТ |
| Пакет / Кубьерта: | СК-88-6 |
| Поляризация транзистора: | N-канал |
| Номер канала: | 2 канала |
| Vds - Разрушающее напряжение между дренаже и фуэнте: | 60 В |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 295 мА |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1,6 Ом |
| Vgs - Напряжение между пуэрта и фуэнте: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 В |
| Qg - Carga de puerta: | 900 ПК |
| Минимальная температура труда: | - 55 С |
| Максимальная температура труда: | + 150 С |
| Dp - Disipación de potencia: | 250 мВт |
| Канал Модо: | Улучшение |
| Эмпакетадо: | Катушка |
| Эмпакетадо: | Разрезать ленту |
| Эмпакетадо: | Мышькатушка |
| Марка: | онсеми |
| Конфигурация: | Двойной |
| Таймпо-де-Кайда: | 32 нс |
| Альтура: | 0,9 мм |
| Долгота: | 2 мм |
| Тип продукта: | МОП-транзистор |
| Время субиды: | 34 нс |
| Серия: | НТЖД5121Н |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Подкатегория: | МОП-транзисторы |
| Тип транзистора: | 2 N-канала |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 нс |
| Tiempo típico de demora de encendo: | 22 нс |
| Анчо: | 1,25 мм |
| Песо де ла унидад: | 0,000212 унций |
• Низкий RDS(вкл.)
• Низкий порог ворот
• Низкая входная емкость
• Ворота с защитой от электростатического разряда
• Префикс NVJD для автомобильных и других приложений, требующих уникальных требований к местоположению и изменению управления;Квалификация AEC-Q101 и поддержка PPAP
• Это устройство, не содержащее свинца.
• Переключатель низкой нагрузки
• Преобразователи постоянного тока в постоянный (понижающая и повышающая схемы)
