SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200 В Vds 20 В Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Описание продукта
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | Вишай |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| RoHS: | Подробности |
| Технологии: | Si |
| Тип монтажа: | СМД/СМТ |
| Посылка/кейс: | ПауэрПАК-1212-8 |
| Полярность транзистора: | P-канал |
| Количество каналов: | 1 канал |
| Vds - Напряжение пробоя сток-исток: | 200 В |
| Id — непрерывный ток стока: | 3,8 А |
| Rds On — сопротивление сток-исток: | 1,05 Ом |
| Vgs - Напряжение затвор-исток: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Пороговое напряжение затвор-исток: | 2 В |
| Qg - заряд ворот: | 25 нКл |
| Минимальная рабочая температура: | - 50 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Pd - рассеиваемая мощность: | 52 Вт |
| Режим канала: | Улучшение |
| Торговое название: | TrenchFET |
| Упаковка: | Катушка |
| Упаковка: | Разрезать ленту |
| Упаковка: | Мышькатушка |
| Марка: | Вишай Полупроводники |
| Конфигурация: | Одинокий |
| Время падения: | 12 нс |
| Прямая крутизна - Мин.: | 4 с |
| Высота: | 1,04 мм |
| Длина: | 3,3 мм |
| Тип продукта: | МОП-транзистор |
| Время нарастания: | 11 нс |
| Ряд: | СИ7 |
| Заводская упаковка: | 3000 |
| Подкатегория: | МОП-транзисторы |
| Тип транзистора: | 1 P-канал |
| Типичное время задержки выключения: | 27 нс |
| Типичное время задержки включения: | 9 нс |
| Ширина: | 3,3 мм |
| Часть # Псевдонимы: | SI7119DN-GE3 |
| Единица измерения: | 1 г |
• Без галогенов Согласно IEC 61249-2-21 Доступно
• Мощный МОП-транзистор TrenchFET®
• Пакет PowerPAK® с низким тепловым сопротивлением, малый размер и низкий профиль 1,07 мм
• 100 % тестирование UIS и Rg
• Active Clamp в промежуточных источниках питания постоянного/постоянного тока
